重庆资料研究院请求金掺杂PdSe2薄膜热敏电阻及其制备办法专利具有高灵敏度和快速呼应特性

来源:上海五星体育手机在线直播观看    发布时间:2026-04-03 03:37:29
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  国家知识产权局信息数据显现,重庆资料研究院有限公司请求一项名为“一种金掺杂PdSe2薄膜热敏电阻及其制备办法”的专利,公开号CN121768782A,请求日期为2025年12月。

  专利摘要显现,本发明触及一种金掺杂PdSe2薄膜热敏电阻及其制备办法,该热敏电阻包含基底、坐落基底上的金掺杂PdSe2薄膜以及设置在薄膜上的电极,经过特定的制备工艺完成金元素在PdSe2薄膜中的均匀掺杂,然后显着提高薄膜的热敏功能,使其具有高灵敏度和快速呼应特性,适用于高精度温度传感范畴。

  天眼查资料显现,重庆资料研究院有限公司,成立于1991年,坐落重庆市,是一家以从事有色金属锻炼和压延加工业为主的企业。企业注册资本40350.34万人民币。经过天眼查大数据分析,重庆资料研究院有限公司共对外出资了9家企业,参加招投标项目529次,产业线条,此外企业还具有行政许可49个。

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