LED发光二极管的根底原理及结构

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  LED 是一种直接注入电流的发光器材,是半导体晶体内部受激电子从高能级回复到低能级时,发射出光子的成果,这便是一般所说的自发发射跃迁。当LED的PN结加上正向偏压,注入的少量载流子和大都载流子(电子和空穴)复合而发光。有必要留意一下的是,关于很多处于高能级的粒子各自别离自发发射一列一列角频率为ν =Eg/h的光波,但各列光波之间没固定的相位联系,能够有不同的偏振方向,而且每个粒子所发射的光沿一切或许的方向传达,这样的一个进程称为自发发射。其发射波长可用下式来表明:λ(μm)=1.2396/Eg(eV)

  发光二极管(light emission diode LED)图1显现了LED的结构截面图。要使LED发光,有源层的半导体资料有必要是直接带隙资料,跳过带隙的电子和空穴能够直接复合发射出光子。为了使器材有好的光和载流子约束,大多选用双异质结(DH)结构。

  因为LED没有光学谐振腔挑选波长,所以它的光谱是以自发发射为主的光谱,图2显现出了LED的典型光谱曲线。发光光谱曲线上发光强度最大时所对应的波长称为发光峰值波长,光谱曲线上两个半光强点所对应的波长差称为谱线nm之间。峰值波长和谱线所示,当被测器材的正向作业电流到达规则值时,旋转单色仪波鼓,使指示器到达最大值,读出波长峰值,此即为该器材的发光峰值波长。在旋转单色仪波鼓(朝相反方向各转一次),使指示器读数为最大值的一半时,读出两个等于最大值一半的数值,两者之差即为光谱谱线能够精确的看出,当器材温度上升时,光谱曲线随之向右移动,从峰值波长的改变能够求出LED的波长温度系数。

  LED一般都具有图4所示的较好的伏安特性。当LED管芯经过正向电流为规则的值时,正、负极之间发生的电压降,即为正向亚降(以VF表明,单位为V),因为正向电阻比较小,故VF一般都较低,图5示出了VF的测验原理图

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